casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HAT2171H-EL-E
codice articolo del costruttore | HAT2171H-EL-E |
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Numero di parte futuro | FT-HAT2171H-EL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HAT2171H-EL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3750pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2171H-EL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HAT2171H-EL-E-FT |
RS1E170GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E180BNTB
Rohm Semiconductor
RS1E200BNTB
Rohm Semiconductor
RS1E240BNTB
Rohm Semiconductor
RS1E280BNTB
Rohm Semiconductor
RS1E350BNTB
Rohm Semiconductor
RS1G150MNTB
Rohm Semiconductor
RS1G180MNTB
Rohm Semiconductor
RS1G260MNTB
Rohm Semiconductor
RS1P600BETB1
Rohm Semiconductor
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel