casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HAT2172H-EL-E
codice articolo del costruttore | HAT2172H-EL-E |
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Numero di parte futuro | FT-HAT2172H-EL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HAT2172H-EL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2420pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2172H-EL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HAT2172H-EL-E-FT |
RS1E180BNTB
Rohm Semiconductor
RS1E200BNTB
Rohm Semiconductor
RS1E240BNTB
Rohm Semiconductor
RS1E280BNTB
Rohm Semiconductor
RS1E350BNTB
Rohm Semiconductor
RS1G150MNTB
Rohm Semiconductor
RS1G180MNTB
Rohm Semiconductor
RS1G260MNTB
Rohm Semiconductor
RS1P600BETB1
Rohm Semiconductor
RS1E300GNTB
Rohm Semiconductor
XC6SLX150-3FG676I
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XC3S1400A-5FG484C
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LAXP2-8E-5FTN256E
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LCMXO2-1200HC-5SG32C
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A40MX04-3PL68I
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5SGSED8N2F45I2
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5SGXEBBR2H43I3L
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EPF10K10QC208-3N
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