casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MTM231100L
codice articolo del costruttore | MTM231100L |
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Numero di parte futuro | FT-MTM231100L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTM231100L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 1A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-G1 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTM231100L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTM231100L-FT |
RJK0854DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK0856DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK1051DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK1052DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK1053DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK1055DPB-00#J5
Renesas Electronics America
H5N2522LSTL-E
Renesas Electronics America
H7N1002LS-E
Renesas Electronics America
H7N1002LSTL-E
Renesas Electronics America
HAF1002-90STL-E
Renesas Electronics America
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation