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Renesas Electronics America H7N1002LS-E

Name: H7N1002LS-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: H7N1002LS-E
Availability: InStock
Rating: 4.5 (273 reviews)

Numero parte MFG: H7N1002LS-E

quantità disponibile: 68190 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 100V LDPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: H7N1002LS-E.pdf

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H7N1002LS-E specificazioni

codice articolo del costruttore	H7N1002LS-E
Numero di parte futuro	FT-H7N1002LS-E
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
H7N1002LS-E Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9700pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	4-LDPAK
Pacchetto / caso	SC-83
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H7N1002LS-E Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	H7N1002LS-E-FT

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