casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK0856DPB-00#J5
codice articolo del costruttore | RJK0856DPB-00#J5 |
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Numero di parte futuro | FT-RJK0856DPB-00#J5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK0856DPB-00#J5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK0856DPB-00#J5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK0856DPB-00#J5-FT |
RJK2508DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK2511DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK4018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK4514DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK4518DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5020DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK6014DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK6015DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK6018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel