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Renesas Electronics America H5N2522LSTL-E

Name: H5N2522LSTL-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: H5N2522LSTL-E
Availability: InStock
Rating: 4.9 (20 reviews)

Numero parte MFG: H5N2522LSTL-E

quantità disponibile: 56350 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: H5N2522LSTL-E.pdf

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H5N2522LSTL-E specificazioni

codice articolo del costruttore	H5N2522LSTL-E
Numero di parte futuro	FT-H5N2522LSTL-E
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
H5N2522LSTL-E Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	4-LDPAK
Pacchetto / caso	SC-83
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H5N2522LSTL-E Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	H5N2522LSTL-E-FT

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