casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK1052DPB-00#J5
codice articolo del costruttore | RJK1052DPB-00#J5 |
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Numero di parte futuro | FT-RJK1052DPB-00#J5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK1052DPB-00#J5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4160pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK1052DPB-00#J5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK1052DPB-00#J5-FT |
RJK4018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK4514DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK4518DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5020DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK6014DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK6015DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK6018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK6020DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJL5014DPK-00#T0
Renesas Electronics America
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel