casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D
codice articolo del costruttore | MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 48Gb (768M x 64) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D-FT |
MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DAANK-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DABNK-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DAEZ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DANJ-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DANW-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DAPV-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DAPV-DC TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel