casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B4DAEZ-DC TR
codice articolo del costruttore | MT53B4DAEZ-DC TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B4DAEZ-DC TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B4DAEZ-DC TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | - |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B4DAEZ-DC TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B4DAEZ-DC TR-FT |
MT53B256M64D2NH-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel