casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B4DANJ-DC
codice articolo del costruttore | MT53B4DANJ-DC |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B4DANJ-DC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B4DANJ-DC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | - |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B4DANJ-DC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B4DANJ-DC-FT |
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel