casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR
codice articolo del costruttore | MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 24Gb (384M x 64) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR-FT |
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1Z01MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1Z91MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NH-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel