casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B4DAANK-DC
codice articolo del costruttore | MT53B4DAANK-DC |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B4DAANK-DC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B4DAANK-DC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | - |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B4DAANK-DC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B4DAANK-DC-FT |
MT53B256M32D1Z01MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1Z91MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NH-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel