casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F8G08ABACAH4-IT:C
codice articolo del costruttore | MT29F8G08ABACAH4-IT:C |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F8G08ABACAH4-IT:C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F8G08ABACAH4-IT:C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F8G08ABACAH4-IT:C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F8G08ABACAH4-IT:C-FT |
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel