casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR-FT |
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAHC:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F27I7N
Intel
EP3C80U484C7N
Intel
5SGXMA4K2F35I2N
Intel
XCV100-5BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.