casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
codice articolo del costruttore | MT29F512G08EMCBBJ5-10:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08EMCBBJ5-10:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08EMCBBJ5-10:B-FT |
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAHC:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
AT40K20AL-1BQU
Microchip Technology
A54SX16P-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
10CL010YE144C8G
Intel
XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19C7N
Intel