casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR
codice articolo del costruttore | MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR-FT |
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel