casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR
codice articolo del costruttore | MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR-FT |
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4:D TR
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel