casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F8G01ADBFD12-ITES:F TR
codice articolo del costruttore | MT29F8G01ADBFD12-ITES:F TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F8G01ADBFD12-ITES:F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F8G01ADBFD12-ITES:F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 8Gb (8G x 1) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F8G01ADBFD12-ITES:F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F8G01ADBFD12-ITES:F TR-FT |
MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel