casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D
codice articolo del costruttore | MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 132-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 132-LBGA (12x18) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D-FT |
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel