casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G16ABAEAH4-IT:E
codice articolo del costruttore | MT29F4G16ABAEAH4-IT:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F4G16ABAEAH4-IT:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4G16ABAEAH4-IT:E-FT |
MT29F32G08ABCDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEABM73A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEABM73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10:C
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel