casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G16ABAEAH4:E TR
codice articolo del costruttore | MT29F4G16ABAEAH4:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F4G16ABAEAH4:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G16ABAEAH4:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABAEAH4:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4G16ABAEAH4:E TR-FT |
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation