casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F
codice articolo del costruttore | MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F-FT |
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AFABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AFACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation