casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G16ABAEAWP:E
codice articolo del costruttore | MT29F4G16ABAEAWP:E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F4G16ABAEAWP:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G16ABAEAWP:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABAEAWP:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4G16ABAEAWP:E-FT |
MT29F32G08AECBBH1-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AFABAWP:B TR
Micron Technology Inc.