casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT
codice articolo del costruttore | MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 130-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 130-VFBGA (8x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT-FT |
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL256BAA1ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL256BBA8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL256HAA1ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL256HAA1ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL256HBA8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512BAA1ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel