casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25TL512BAA1ESF-0AAT
codice articolo del costruttore | MT25TL512BAA1ESF-0AAT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25TL512BAA1ESF-0AAT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL512BAA1ESF-0AAT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL512BAA1ESF-0AAT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25TL512BAA1ESF-0AAT-FT |
M58WR032KB7AZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KB7AZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KL70ZA6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KL70ZA6U TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KU70D16 TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KU70ZA6U TR
Micron Technology Inc.
M58WR064ET70ZB6T
STMicroelectronics
M58WR064KB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR064KB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel