casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR
codice articolo del costruttore | MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR-FT |
M58WR032KB70ZQ6Z
Micron Technology Inc.
M58WR032KB7AZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KB7AZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KL70ZA6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KL70ZA6U TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KU70D16 TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KU70ZA6U TR
Micron Technology Inc.
M58WR064ET70ZB6T
STMicroelectronics
M58WR064KB70ZB6E
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel