casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25TL01GHBB8ESF-0AAT
codice articolo del costruttore | MT25TL01GHBB8ESF-0AAT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25TL01GHBB8ESF-0AAT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25TL01GHBB8ESF-0AAT-FT |
M58LT256KST7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KST8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KST8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6W TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6Z
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZQ6W TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZQ6Z
Micron Technology Inc.
M58WR032KB7AZB6E
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel