casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25TL256BBA8ESF-0AAT
codice articolo del costruttore | MT25TL256BBA8ESF-0AAT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25TL256BBA8ESF-0AAT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL256BBA8ESF-0AAT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL256BBA8ESF-0AAT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25TL256BBA8ESF-0AAT-FT |
M58WR032KB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6W TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6Z
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZQ6W TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZQ6Z
Micron Technology Inc.
M58WR032KB7AZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KB7AZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KL70ZA6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KL70ZA6U TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation