casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MD2310FX
codice articolo del costruttore | MD2310FX |
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Numero di parte futuro | FT-MD2310FX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MD2310FX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 14A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1.75A, 7A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 7A, 5V |
Potenza - Max | 62W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | ISOWATT218FX |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOWATT-218FX |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MD2310FX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MD2310FX-FT |
2SC4604,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4682,T6CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4682,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S100E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
Intel
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
Intel
5CGXBC9E6F35C7N
Intel