casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD2206A(T6SEP,F,M
codice articolo del costruttore | 2SD2206A(T6SEP,F,M |
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Numero di parte futuro | FT-2SD2206A(T6SEP,F,M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2206A(T6SEP,F,M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2206A(T6SEP,F,M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD2206A(T6SEP,F,M-FT |
2SA965-Y(T6CANO,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y,SWFF(M
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2SA965-Y,T6F(J
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2SA965-Y,T6KOJPF(J
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2SB1457(T6CANO,F,M
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2SB1457(T6CNO,A,F)
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2SB1457(T6DW,F,M)
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2SB1457(TE6,F,M)
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2SB1457,T6TOTOF(J
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XC3S50A-4TQ144I
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