casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MD2009DFX
codice articolo del costruttore | MD2009DFX |
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Numero di parte futuro | FT-MD2009DFX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MD2009DFX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.8V @ 1.4A, 5.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 5.5A, 5V |
Potenza - Max | 58W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | ISOWATT218FX |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOWATT-218FX |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MD2009DFX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MD2009DFX-FT |
2SC4682,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4VQG100C
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C7N
Intel