casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MD2009DFX
codice articolo del costruttore | MD2009DFX |
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Numero di parte futuro | FT-MD2009DFX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MD2009DFX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.8V @ 1.4A, 5.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 5.5A, 5V |
Potenza - Max | 58W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | ISOWATT218FX |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOWATT-218FX |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MD2009DFX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MD2009DFX-FT |
2SC4682,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
XCV600E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P600-FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP1M120F484C8ES
Intel
EPF10K100EFC484-3
Intel
EP2SGX90EF1152C4
Intel
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation