casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRH24030
codice articolo del costruttore | MBRH24030 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRH24030 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRH24030 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 240A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 240A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-67 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-67 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRH24030 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRH24030-FT |
GP2D020A170B
Global Power Technologies Group
GP2D030A120B
Global Power Technologies Group
GP2D050A060B
Global Power Technologies Group
GP2D050A120B
Global Power Technologies Group
GP2D003A065A
Global Power Technologies Group
GP2D003A060A
Global Power Technologies Group
GP2D005A060A
Global Power Technologies Group
GP2D006A060A
Global Power Technologies Group
GP2D008A120A
Global Power Technologies Group
GP2D010A060A
Global Power Technologies Group
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel