casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP2D010A060A
codice articolo del costruttore | GP2D010A060A |
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Numero di parte futuro | FT-GP2D010A060A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GP2D010A060A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 527pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D010A060A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2D010A060A-FT |
DSEI8-06A
IXYS
DGS10-018A
IXYS
DGS10-025A
IXYS
DGS10-030A
IXYS
DGS20-018A
IXYS
DGS20-025A
IXYS
DGS4-025A
IXYS
DHG10I1800PA
IXYS
DMA10I1600PA
IXYS
DNA30E2200PA
IXYS
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel