casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP2D020A170B
codice articolo del costruttore | GP2D020A170B |
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Numero di parte futuro | FT-GP2D020A170B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GP2D020A170B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 20A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1700V |
Capacità @ Vr, F | 1624pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D020A170B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2D020A170B-FT |
DSEP29-12A
IXYS
DSEP8-06A
IXYS
DSEP8-06B
IXYS
DSS10-0045B
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DSS10-006A
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XC6SLX45-3CSG484C
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XC7A100T-2FTG256C
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XC6SLX100-3FGG484I
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A3P030-1VQG100I
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AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
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LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel