casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP2D008A120A
codice articolo del costruttore | GP2D008A120A |
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Numero di parte futuro | FT-GP2D008A120A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GP2D008A120A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 24A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 8A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 508pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D008A120A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2D008A120A-FT |
DSS25-0045A
IXYS
DSEI8-06A
IXYS
DGS10-018A
IXYS
DGS10-025A
IXYS
DGS10-030A
IXYS
DGS20-018A
IXYS
DGS20-025A
IXYS
DGS4-025A
IXYS
DHG10I1800PA
IXYS
DMA10I1600PA
IXYS
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel