casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP2D030A120B
codice articolo del costruttore | GP2D030A120B |
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Numero di parte futuro | FT-GP2D030A120B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GP2D030A120B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 30A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 60µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 1905pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D030A120B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2D030A120B-FT |
DSEP8-06A
IXYS
DSEP8-06B
IXYS
DSS10-0045B
IXYS
DSS10-006A
IXYS
DSS10-01A
IXYS
DSS16-01A
IXYS
DSS25-0025B
IXYS
DSS25-0045A
IXYS
DSEI8-06A
IXYS
DGS10-018A
IXYS
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel