casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB1635HE3_A/P
codice articolo del costruttore | MBRB1635HE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB1635HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB1635HE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB1635HE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB1635HE3_A/P-FT |
BAT42-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT46-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT46-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT81S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT82S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT82S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT83S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT85S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel