casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT82S-TAP
codice articolo del costruttore | BAT82S-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BAT82S-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAT82S-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT82S-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT82S-TAP-FT |
BYM07-100HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation