casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT81S-TAP
codice articolo del costruttore | BAT81S-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BAT81S-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAT81S-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT81S-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT81S-TAP-FT |
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel