casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT85S-TR
codice articolo del costruttore | BAT85S-TR |
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Numero di parte futuro | FT-BAT85S-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT85S-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT85S-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT85S-TR-FT |
BYM07-150HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-300HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-300HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel