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codice articolo del costruttore | BAT42-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BAT42-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAT42-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT42-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT42-TAP-FT |
EGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34G/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34J/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel