casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M95M01-RMN6TP
codice articolo del costruttore | M95M01-RMN6TP |
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Numero di parte futuro | FT-M95M01-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M95M01-RMN6TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | 16MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95M01-RMN6TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M95M01-RMN6TP-FT |
TH58NVG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation