casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / TC58NVG2S0HBAI4
codice articolo del costruttore | TC58NVG2S0HBAI4 |
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Numero di parte futuro | FT-TC58NVG2S0HBAI4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TC58NVG2S0HBAI4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-TFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58NVG2S0HBAI4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TC58NVG2S0HBAI4-FT |
W25Q256FVCIG
Winbond Electronics
W25Q256FVCIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP TR
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W25Q256FVCJQ
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W25Q256FVCJQ TR
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W25Q32FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIG TR
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W25Q32FVTCIP
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W25Q32FVTCIP TR
Winbond Electronics
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel