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Toshiba Memory America, Inc. TH58NYG3S0HBAI4

Numero parte MFG
TH58NYG3S0HBAI4
quantità disponibile
90980 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 7.672
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Memory America, Inc.
Breve descrizione
- 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
TH58NYG3S0HBAI4.pdf
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TH58NYG3S0HBAI4 specificazioni

codice articolo del costruttore TH58NYG3S0HBAI4
Numero di parte futuro FT-TH58NYG3S0HBAI4
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TH58NYG3S0HBAI4 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria 8Gb (1G x 8)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 25ns
Tempo di accesso 25ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 63-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 63-TFBGA (9x11)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58NYG3S0HBAI4 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TH58NYG3S0HBAI4-FT

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