casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / TC58BVG1S3HBAI6
codice articolo del costruttore | TC58BVG1S3HBAI6 |
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Numero di parte futuro | FT-TC58BVG1S3HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Benand™ |
TC58BVG1S3HBAI6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 67-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 67-VFBGA (6.5x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BVG1S3HBAI6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TC58BVG1S3HBAI6-FT |
W25Q256FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIP TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJF
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJF TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIF
Winbond Electronics
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel