casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / TC58BYG1S3HBAI6
codice articolo del costruttore | TC58BYG1S3HBAI6 |
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Numero di parte futuro | FT-TC58BYG1S3HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Benand™ |
TC58BYG1S3HBAI6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 67-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 67-VFBGA (6.5x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG1S3HBAI6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TC58BYG1S3HBAI6-FT |
W25Q256FVCIP
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