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Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG1S3HBAI6

Numero parte MFG
TC58BYG1S3HBAI6
quantità disponibile
15130 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 3.16
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Memory America, Inc.
Breve descrizione
Benand™ IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
TC58BYG1S3HBAI6.pdf
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TC58BYG1S3HBAI6 specificazioni

codice articolo del costruttore TC58BYG1S3HBAI6
Numero di parte futuro FT-TC58BYG1S3HBAI6
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Benand™
TC58BYG1S3HBAI6 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria 2Gb (256M x 8)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 25ns
Tempo di accesso 25ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 67-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 67-VFBGA (6.5x8)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TC58BYG1S3HBAI6 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TC58BYG1S3HBAI6-FT

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