casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / LQA30B150C
codice articolo del costruttore | LQA30B150C |
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Numero di parte futuro | FT-LQA30B150C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Qspeed™ |
LQA30B150C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 16.3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQA30B150C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQA30B150C-FT |
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel