casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / NSVBAS21TMR6T1G
codice articolo del costruttore | NSVBAS21TMR6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVBAS21TMR6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVBAS21TMR6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-74 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS21TMR6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVBAS21TMR6T1G-FT |
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C2N
Intel
10M40SCE144A7G
Intel
XC4044XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel