casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / NSVBAS21TMR6T1G
codice articolo del costruttore | NSVBAS21TMR6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVBAS21TMR6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVBAS21TMR6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-74 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS21TMR6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVBAS21TMR6T1G-FT |
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage