casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / RB731UT108
codice articolo del costruttore | RB731UT108 |
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Numero di parte futuro | FT-RB731UT108 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB731UT108 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 370mV @ 1mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 10V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB731UT108 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB731UT108-FT |
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
BAR43C
ON Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel