casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS16UE6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BAS16UE6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS16UE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS16UE6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC74-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16UE6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16UE6327HTSA1-FT |
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
BAR43C
ON Semiconductor
BAR43S
ON Semiconductor
BAS 40-04 B5003
Infineon Technologies
BAS 40-05 B5003
Infineon Technologies
BAS 40-06 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-04 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-05 B5003
Infineon Technologies
BAS 70-06 B5003
Infineon Technologies
BAS40-06LT1
ON Semiconductor
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel